Artikelnummer :
SQM200N04-1M1L_GE3
Hersteller :
Vishay Siliconix
Beschreibung :
MOSFET N-CH 40V 200A TO-263
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
40V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
200A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
1.1 mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.5V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
413nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
20655pF @ 25V
Verlustleistung (max.) :
375W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
TO-263-7
Paket / fall :
TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)