DMN67D8LDW-13 Preise (USD) [1325416Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- DMN67D8LDW-13
- Hersteller:
- Diodes Incorporated
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET 2N-CH 60V 0.23A SOT363.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
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- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf Diodes Incorporated DMN67D8LDW-13 elektronische Komponenten. DMN67D8LDW-13 kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu DMN67D8LDW-13 haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
DMN67D8LDW-13 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
DMN67D8LDW-13
Hersteller :
Diodes Incorporated
Beschreibung :
MOSFET 2N-CH 60V 0.23A SOT363
Serie :
-
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion :
Standard
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
60V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
230mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
5 Ohm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.5V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
0.82nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
22pF @ 25V
Leistung max :
320mW
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Paket / fall :
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Supplier Device Package :
SOT-363
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