SSM6N7002BFE,LM Preise (USD) [1694228Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- SSM6N7002BFE,LM
- Hersteller:
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET 2N-CH 60V 0.2A ES6.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
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- Familienkategorien:
- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Thyristoren - SCRs - Module, Transistoren - Bipolar (BJT) - RF, Thyristoren - DIACs, SIDACs, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt, Transistoren - JFETs, Dioden - Brückengleichrichter, Transistoren - IGBTs - Module and Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann ...
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SSM6N7002BFE,LM Produkteigenschaften
Artikelnummer :
SSM6N7002BFE,LM
Hersteller :
Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung :
MOSFET 2N-CH 60V 0.2A ES6
Serie :
-
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion :
Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
60V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
200mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
2.1 Ohm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3.1V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
-
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
17pF @ 25V
Leistung max :
150mW
Betriebstemperatur :
150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Paket / fall :
SOT-563, SOT-666
Supplier Device Package :
ES6
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