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ON Semiconductor - FQA13N80

KEY Part #: K6413492

[13081Stück Lager]

    Artikelnummer:
    FQA13N80
    Hersteller:
    ON Semiconductor
    Detaillierte Beschreibung:
    MOSFET N-CH 800V 12.6A TO-3P.
    Standardlieferzeit des Herstellers:
    Auf Lager
    Haltbarkeit:
    Ein Jahr
    Chip von:
    Hongkong
    RoHS:
    Zahlungsmethode:
    Versand weg:
    Familienkategorien:
    KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - IGBTs - Module, Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln, Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays, Dioden - RF, Thyristoren - DIACs, SIDACs, Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann, Thyristoren - Thyristoren and Leistungstreibermodule ...
    Wettbewerbsvorteil:
    Wir sind spezialisiert auf ON Semiconductor FQA13N80 elektronische Komponenten. FQA13N80 kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu FQA13N80 haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    FQA13N80 Produkteigenschaften

    Artikelnummer : FQA13N80
    Hersteller : ON Semiconductor
    Beschreibung : MOSFET N-CH 800V 12.6A TO-3P
    Serie : QFET®
    Teilestatus : Obsolete
    FET-Typ : N-Channel
    Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
    Drain-Source-Spannung (Vdss) : 800V
    Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 12.6A (Tc)
    Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 750 mOhm @ 6.3A, 10V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 250µA
    Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 88nC @ 10V
    Vgs (Max) : ±30V
    Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 3500pF @ 25V
    FET-Funktion : -
    Verlustleistung (max.) : 300W (Tc)
    Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
    Befestigungsart : Through Hole
    Supplier Device Package : TO-3PN
    Paket / fall : TO-3P-3, SC-65-3

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