IXFN50N120SK Preise (USD) [1566Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- IXFN50N120SK
- Hersteller:
- IXYS
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N-CH.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
-
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IXFN50N120SK Produkteigenschaften
Artikelnummer :
IXFN50N120SK
Hersteller :
IXYS
Beschreibung :
MOSFET N-CH
Serie :
-
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
1200V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
48A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
52 mOhm @ 40A, 20V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.8V @ 10mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
115nC @ 20V
Vgs (Max) :
+20V, -5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
1895pF @ 1000V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
-
Betriebstemperatur :
-40°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart :
Chassis Mount
Supplier Device Package :
SOT-227B
Paket / fall :
SOT-227-4, miniBLOC
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