IXFN50N120SK Preise (USD) [1566Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- IXFN50N120SK
- Hersteller:
- IXYS
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N-CH.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
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- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf IXYS IXFN50N120SK elektronische Komponenten. IXFN50N120SK kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu IXFN50N120SK haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
IXFN50N120SK Produkteigenschaften
Artikelnummer :
IXFN50N120SK
Hersteller :
IXYS
Beschreibung :
MOSFET N-CH
Serie :
-
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
1200V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
48A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
52 mOhm @ 40A, 20V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.8V @ 10mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
115nC @ 20V
Vgs (Max) :
+20V, -5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
1895pF @ 1000V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
-
Betriebstemperatur :
-40°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart :
Chassis Mount
Supplier Device Package :
SOT-227B
Paket / fall :
SOT-227-4, miniBLOC
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