IXFQ10N80P Preise (USD) [33519Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- IXFQ10N80P
- Hersteller:
- IXYS
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N-CH 800V 10A TO-3P.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
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- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf IXYS IXFQ10N80P elektronische Komponenten. IXFQ10N80P kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu IXFQ10N80P haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
IXFQ10N80P Produkteigenschaften
Artikelnummer :
IXFQ10N80P
Hersteller :
IXYS
Beschreibung :
MOSFET N-CH 800V 10A TO-3P
Serie :
HiPerFET™, PolarHT™
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
800V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
10A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
1.1 Ohm @ 5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
5.5V @ 2.5mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
40nC @ 10V
Vgs (Max) :
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
2050pF @ 25V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
300W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Through Hole
Supplier Device Package :
TO-3P
Paket / fall :
TO-3P-3, SC-65-3
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