Artikelnummer :
IRFB11N50APBF
Hersteller :
Vishay Siliconix
Beschreibung :
MOSFET N-CH 500V 11A TO-220AB
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
500V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
11A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
520 mOhm @ 6.6A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
52nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
1423pF @ 25V
Verlustleistung (max.) :
170W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Through Hole
Supplier Device Package :
TO-220AB