TK56E12N1,S1X Preise (USD) [67611Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- TK56E12N1,S1X
- Hersteller:
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N CH 120V 56A TO-220.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
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- Familienkategorien:
- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Thyristoren - Thyristoren, Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays, Thyristoren - SCRs - Module, Transistoren - IGBTs - Module, Dioden - Brückengleichrichter, Transistoren - JFETs, Thyristoren - TRIACs and Dioden - variable Kapazität (Varicaps, Varactors) ...
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TK56E12N1,S1X Produkteigenschaften
Artikelnummer :
TK56E12N1,S1X
Hersteller :
Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung :
MOSFET N CH 120V 56A TO-220
Serie :
U-MOSVIII-H
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
120V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
56A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
7 mOhm @ 28A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 1mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
69nC @ 10V
Vgs (Max) :
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
4200pF @ 60V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
168W (Tc)
Betriebstemperatur :
150°C (TJ)
Befestigungsart :
Through Hole
Supplier Device Package :
TO-220
Paket / fall :
TO-220-3
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