IPD60R800CEATMA1 Preise (USD) [2682Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- IPD60R800CEATMA1
- Hersteller:
- Infineon Technologies
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N-CH 600V TO-252-3.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
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- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf Infineon Technologies IPD60R800CEATMA1 elektronische Komponenten. IPD60R800CEATMA1 kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu IPD60R800CEATMA1 haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
IPD60R800CEATMA1 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
IPD60R800CEATMA1
Hersteller :
Infineon Technologies
Beschreibung :
MOSFET N-CH 600V TO-252-3
Serie :
CoolMOS™ CE
Teilestatus :
Obsolete
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
600V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
5.6A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
800 mOhm @ 2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3.5V @ 170µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
17.2nC @ 10V
Vgs (Max) :
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
373pF @ 100V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
48W (Tc)
Betriebstemperatur :
-40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
TO-252-3
Paket / fall :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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