IXYS - IXFX20N80Q

KEY Part #: K6401304

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    Artikelnummer:
    IXFX20N80Q
    Hersteller:
    IXYS
    Detaillierte Beschreibung:
    MOSFET N-CH 800V 20A PLUS247-3.
    Standardlieferzeit des Herstellers:
    Auf Lager
    Haltbarkeit:
    Ein Jahr
    Chip von:
    Hongkong
    RoHS:
    Zahlungsmethode:
    Versand weg:
    Familienkategorien:
    KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - Programmierbare Einheit, Dioden - variable Kapazität (Varicaps, Varactors), Leistungstreibermodule, Transistoren - Bipolar (BJT) - Single, Thyristoren - SCRs - Module, Thyristoren - TRIACs, Dioden - Zener - Single and Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann ...
    Wettbewerbsvorteil:
    Wir sind spezialisiert auf IXYS IXFX20N80Q elektronische Komponenten. IXFX20N80Q kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu IXFX20N80Q haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    IXFX20N80Q Produkteigenschaften

    Artikelnummer : IXFX20N80Q
    Hersteller : IXYS
    Beschreibung : MOSFET N-CH 800V 20A PLUS247-3
    Serie : HiPerFET™
    Teilestatus : Obsolete
    FET-Typ : N-Channel
    Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
    Drain-Source-Spannung (Vdss) : 800V
    Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 20A (Tc)
    Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 420 mOhm @ 10A, 10V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 4.5V @ 4mA
    Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 200nC @ 10V
    Vgs (Max) : ±20V
    Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 5100pF @ 25V
    FET-Funktion : -
    Verlustleistung (max.) : 360W (Tc)
    Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
    Befestigungsart : Through Hole
    Supplier Device Package : PLUS247™-3
    Paket / fall : TO-247-3

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