NTMFS5C430NT1G Preise (USD) [83762Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- NTMFS5C430NT1G
- Hersteller:
- ON Semiconductor
- Detaillierte Beschreibung:
- T6 40V MOSFET.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
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- Versand weg:
- Familienkategorien:
- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - IGBTs - Module, Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln, Transistoren - Bipolar (BJT) - RF, Thyristoren - TRIACs, Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays, Dioden - Brückengleichrichter, Thyristoren - SCRs - Module and Transistoren - FETs, MOSFETs - HF ...
- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf ON Semiconductor NTMFS5C430NT1G elektronische Komponenten. NTMFS5C430NT1G kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu NTMFS5C430NT1G haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
NTMFS5C430NT1G Produkteigenschaften
Artikelnummer :
NTMFS5C430NT1G
Hersteller :
ON Semiconductor
Beschreibung :
T6 40V MOSFET
Serie :
-
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
40V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
35A (Ta), 185A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
1.7 mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3.5V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
47nC @ 10V
Vgs (Max) :
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
3300pF @ 25V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
3.8W (Ta), 106W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Paket / fall :
8-PowerTDFN, 5 Leads
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