FCD600N65S3R0 Preise (USD) [164617Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- FCD600N65S3R0
- Hersteller:
- ON Semiconductor
- Detaillierte Beschreibung:
- SUPERFET3 650V DPAK PKG.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
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- Wettbewerbsvorteil:
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FCD600N65S3R0 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
FCD600N65S3R0
Hersteller :
ON Semiconductor
Beschreibung :
SUPERFET3 650V DPAK PKG
Serie :
SuperFET® III
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
650V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
6A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
600 mOhm @ 3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4.5V @ 600µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
11nC @ 10V
Vgs (Max) :
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
465pF @ 400V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
54W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
D-PAK (TO-252)
Paket / fall :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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