TPN4R712MD,L1Q Preise (USD) [342569Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- TPN4R712MD,L1Q
- Hersteller:
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET P-CH 20V 36A 8TSON ADV.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
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TPN4R712MD,L1Q Produkteigenschaften
Artikelnummer :
TPN4R712MD,L1Q
Hersteller :
Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung :
MOSFET P-CH 20V 36A 8TSON ADV
Serie :
U-MOSVI
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
P-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
20V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
36A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
4.7 mOhm @ 18A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1.2V @ 1mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
65nC @ 5V
Vgs (Max) :
±12V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
4300pF @ 10V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
42W (Tc)
Betriebstemperatur :
150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
8-TSON Advance (3.3x3.3)
Paket / fall :
8-PowerVDFN
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