DMN10H220LQ-7 Preise (USD) [974181Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- DMN10H220LQ-7
- Hersteller:
- Diodes Incorporated
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT23-3.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
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- Familienkategorien:
- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Dioden - variable Kapazität (Varicaps, Varactors), Transistoren - IGBTs - Module, Transistoren - spezieller Zweck, Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln, Transistoren - JFETs, Dioden - Zener - Single, Transistoren - IGBTs - Single and Transistoren - FETs, MOSFETs - HF ...
- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf Diodes Incorporated DMN10H220LQ-7 elektronische Komponenten. DMN10H220LQ-7 kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu DMN10H220LQ-7 haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
DMN10H220LQ-7 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
DMN10H220LQ-7
Hersteller :
Diodes Incorporated
Beschreibung :
MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT23-3
Serie :
-
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
100V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
1.6A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
220 mOhm @ 1.6A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.5V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
8.3nC @ 10V
Vgs (Max) :
±16V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
401pF @ 25V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
1.3W (Ta)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
SOT-23-3
Paket / fall :
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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