IPB180N10S402ATMA1 Preise (USD) [28465Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- IPB180N10S402ATMA1
- Hersteller:
- Infineon Technologies
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N-CH TO263-7.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
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- Familienkategorien:
- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Dioden - RF, Thyristoren - TRIACs, Dioden - Zener - Single, Transistoren - JFETs, Dioden - Zener - Arrays, Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays, Transistoren - Programmierbare Einheit and Thyristoren - DIACs, SIDACs ...
- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf Infineon Technologies IPB180N10S402ATMA1 elektronische Komponenten. IPB180N10S402ATMA1 kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu IPB180N10S402ATMA1 haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
IPB180N10S402ATMA1 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
IPB180N10S402ATMA1
Hersteller :
Infineon Technologies
Beschreibung :
MOSFET N-CH TO263-7
Serie :
Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
100V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
180A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
2.5 mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3.5V @ 275µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
200nC @ 10V
Vgs (Max) :
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
14600pF @ 25V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
300W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
PG-TO263-7-3
Paket / fall :
TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
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