IPI90R800C3XKSA1 Preise (USD) [1063Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- IPI90R800C3XKSA1
- Hersteller:
- Infineon Technologies
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N-CH 900V 6.9A TO-262.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
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- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Dioden - RF, Thyristoren - TRIACs, Transistoren - JFETs, Transistoren - spezieller Zweck, Thyristoren - SCRs - Module, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, Thyristoren - Thyristoren and Dioden - variable Kapazität (Varicaps, Varactors) ...
- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf Infineon Technologies IPI90R800C3XKSA1 elektronische Komponenten. IPI90R800C3XKSA1 kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu IPI90R800C3XKSA1 haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
IPI90R800C3XKSA1 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
IPI90R800C3XKSA1
Hersteller :
Infineon Technologies
Beschreibung :
MOSFET N-CH 900V 6.9A TO-262
Serie :
CoolMOS™
Teilestatus :
Obsolete
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
900V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
6.9A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
800 mOhm @ 4.1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3.5V @ 460µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
42nC @ 10V
Vgs (Max) :
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
1100pF @ 100V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
104W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Through Hole
Supplier Device Package :
PG-TO262-3
Paket / fall :
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
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