STMicroelectronics - STQ1NK60ZR-AP

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STQ1NK60ZR-AP Preise (USD) [472855Stück Lager]

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Artikelnummer:
STQ1NK60ZR-AP
Hersteller:
STMicroelectronics
Detaillierte Beschreibung:
MOSFET N-CH 600V 0.3A TO-92.
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
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Wettbewerbsvorteil:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

STQ1NK60ZR-AP Produkteigenschaften

Artikelnummer : STQ1NK60ZR-AP
Hersteller : STMicroelectronics
Beschreibung : MOSFET N-CH 600V 0.3A TO-92
Serie : SuperMESH™
Teilestatus : Active
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 600V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 300mA (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 15 Ohm @ 400mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4.5V @ 50µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 6.9nC @ 10V
Vgs (Max) : ±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 94pF @ 25V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 3W (Tc)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Through Hole
Supplier Device Package : TO-92-3
Paket / fall : TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

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