Artikelnummer :
TK380A60Y,S4X
Hersteller :
Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung :
MOSFET N-CH 600V 9.7A TO220SIS
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
600V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
9.7A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
380 mOhm @ 4.9A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 360µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
20nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
590pF @ 300V
Verlustleistung (max.) :
30W
Betriebstemperatur :
150°C (TJ)
Befestigungsart :
Through Hole
Supplier Device Package :
TO-220SIS
Paket / fall :
TO-220-3 Full Pack