Nexperia USA Inc. - PMDT290UCE,115

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Artikelnummer:
PMDT290UCE,115
Hersteller:
Nexperia USA Inc.
Detaillierte Beschreibung:
MOSFET N/P-CH 20V SOT666.
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

PMDT290UCE,115 Produkteigenschaften

Artikelnummer : PMDT290UCE,115
Hersteller : Nexperia USA Inc.
Beschreibung : MOSFET N/P-CH 20V SOT666
Serie : Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™
Teilestatus : Active
FET-Typ : N and P-Channel
FET-Funktion : Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 20V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 800mA, 550mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 380 mOhm @ 500mA, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 950mV @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 0.68nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 83pF @ 10V
Leistung max : 500mW
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Paket / fall : SOT-563, SOT-666
Supplier Device Package : SOT-666

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