Vishay Semiconductor Diodes Division - VS-GT200TP065N

KEY Part #: K6533269

VS-GT200TP065N Preise (USD) [810Stück Lager]

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Artikelnummer:
VS-GT200TP065N
Hersteller:
Vishay Semiconductor Diodes Division
Detaillierte Beschreibung:
IGBT.
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

VS-GT200TP065N Produkteigenschaften

Artikelnummer : VS-GT200TP065N
Hersteller : Vishay Semiconductor Diodes Division
Beschreibung : IGBT
Serie : -
Teilestatus : Active
IGBT-Typ : Trench
Aufbau : Half Bridge
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) : 650V
Stromabnehmer (Ic) (max.) : 221A
Leistung max : 600W
Vce (ein) (max.) @ Vge, Ic : 2.12V @ 15V, 200A
Strom - Kollektorabschaltung (max.) : 60µA
Eingangskapazität (Cies) @ Vce : -
Eingang : Standard
NTC-Thermistor : No
Betriebstemperatur : -40°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart : Chassis Mount
Paket / fall : INT-A-Pak
Supplier Device Package : INT-A-PAK

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