VS-GT200TP065N Preise (USD) [810Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- VS-GT200TP065N
- Hersteller:
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- Detaillierte Beschreibung:
- IGBT.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
-
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- Familienkategorien:
- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Thyristoren - Thyristoren, Transistoren - IGBTs - Arrays, Transistoren - FETs, MOSFETs - HF, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt, Transistoren - Bipolar (BJT) - Single, Thyristoren - SCRs - Module, Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann and Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln ...
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VS-GT200TP065N Produkteigenschaften
Artikelnummer :
VS-GT200TP065N
Hersteller :
Vishay Semiconductor Diodes Division
Beschreibung :
IGBT
Serie :
-
Teilestatus :
Active
IGBT-Typ :
Trench
Aufbau :
Half Bridge
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) :
650V
Stromabnehmer (Ic) (max.) :
221A
Leistung max :
600W
Vce (ein) (max.) @ Vge, Ic :
2.12V @ 15V, 200A
Strom - Kollektorabschaltung (max.) :
60µA
Eingangskapazität (Cies) @ Vce :
-
Eingang :
Standard
NTC-Thermistor :
No
Betriebstemperatur :
-40°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart :
Chassis Mount
Paket / fall :
INT-A-Pak
Supplier Device Package :
INT-A-PAK
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