RJK2075DPA-00#J5A Preise (USD) [75833Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- RJK2075DPA-00#J5A
- Hersteller:
- Renesas Electronics America
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N-CHANNEL 200V 20A WPAK.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
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- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann, Dioden - Gleichrichter - Arrays, Transistoren - IGBTs - Module, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt, Dioden - variable Kapazität (Varicaps, Varactors), Transistoren - Bipolar (BJT) - RF, Transistoren - spezieller Zweck and Transistoren - IGBTs - Arrays ...
- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf Renesas Electronics America RJK2075DPA-00#J5A elektronische Komponenten. RJK2075DPA-00#J5A kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu RJK2075DPA-00#J5A haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
RJK2075DPA-00#J5A Produkteigenschaften
Artikelnummer :
RJK2075DPA-00#J5A
Hersteller :
Renesas Electronics America
Beschreibung :
MOSFET N-CHANNEL 200V 20A WPAK
Serie :
-
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
200V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
20A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
69 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
-
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
38nC @ 10V
Vgs (Max) :
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
2200pF @ 25V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
65W (Ta)
Betriebstemperatur :
150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
WPAK(3F) (5x6)
Paket / fall :
8-PowerVDFN
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