Microsemi Corporation - APT56M60B2

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APT56M60B2 Preise (USD) [6486Stück Lager]

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Artikelnummer:
APT56M60B2
Hersteller:
Microsemi Corporation
Detaillierte Beschreibung:
MOSFET N-CH 600V 56A T-MAX.
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - Bipolar (BJT) - RF, Transistoren - Programmierbare Einheit, Transistoren - FETs, MOSFETs - HF, Transistoren - IGBTs - Module, Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays, Dioden - Zener - Single, Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann and Dioden - Zener - Arrays ...
Wettbewerbsvorteil:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

APT56M60B2 Produkteigenschaften

Artikelnummer : APT56M60B2
Hersteller : Microsemi Corporation
Beschreibung : MOSFET N-CH 600V 56A T-MAX
Serie : POWER MOS 8™
Teilestatus : Active
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 600V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 60A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 130 mOhm @ 28A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 2.5mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 280nC @ 10V
Vgs (Max) : ±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 11300pF @ 25V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 1040W (Tc)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Through Hole
Supplier Device Package : TO-247 [B]
Paket / fall : TO-247-3 Variant

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