Artikelnummer :
SI2302DS,215
Hersteller :
NXP USA Inc.
Beschreibung :
MOSFET N-CH 20V 2.5A SOT23
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
20V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
2.5A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
85 mOhm @ 3.6A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
650mV @ 1mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
10nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
230pF @ 10V
Verlustleistung (max.) :
830mW (Tc)
Betriebstemperatur :
-65°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
TO-236AB (SOT23)
Paket / fall :
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3