Nexperia USA Inc. - PSMN1R7-25YLDX

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Artikelnummer:
PSMN1R7-25YLDX
Hersteller:
Nexperia USA Inc.
Detaillierte Beschreibung:
PSMN1R7-25YLD/LFPAK/REEL 7 Q1.
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
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Wettbewerbsvorteil:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

PSMN1R7-25YLDX Produkteigenschaften

Artikelnummer : PSMN1R7-25YLDX
Hersteller : Nexperia USA Inc.
Beschreibung : PSMN1R7-25YLD/LFPAK/REEL 7 Q1
Serie : -
Teilestatus : Active
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 25V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 100A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.7 mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.2V @ 1mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 46.7nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 3415pF @ 12V
FET-Funktion : Schottky Diode (Body)
Verlustleistung (max.) : 135W (Tc)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Supplier Device Package : LFPAK56, Power-SO8
Paket / fall : SC-100, SOT-669

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