IXFE39N90 Preise (USD) [1892Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- IXFE39N90
- Hersteller:
- IXYS
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N-CH 900V 34A ISOPLUS227.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
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- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, Transistoren - Bipolar (BJT) - Single, Transistoren - IGBTs - Arrays, Transistoren - IGBTs - Module, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt, Transistoren - Programmierbare Einheit and Transistoren - FETs, MOSFETs - HF ...
- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf IXYS IXFE39N90 elektronische Komponenten. IXFE39N90 kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu IXFE39N90 haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
IXFE39N90 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
IXFE39N90
Hersteller :
IXYS
Beschreibung :
MOSFET N-CH 900V 34A ISOPLUS227
Serie :
HiPerFET™
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
900V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
34A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
220 mOhm @ 19.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
5V @ 8mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
375nC @ 10V
Vgs (Max) :
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
13400pF @ 25V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
580W (Tc)
Betriebstemperatur :
-40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Chassis Mount
Supplier Device Package :
SOT-227B
Paket / fall :
SOT-227-4, miniBLOC
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