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- Artikelnummer:
- SH8M13GZETB
- Hersteller:
- Rohm Semiconductor
- Detaillierte Beschreibung:
- MIDDLE POWER MOSFET SERIES DUAL.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
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- Familienkategorien:
- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - Programmierbare Einheit, Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann, Dioden - Brückengleichrichter, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt, Transistoren - IGBTs - Arrays, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, Transistoren - Bipolar (BJT) - RF and Dioden - Zener - Single ...
- Wettbewerbsvorteil:
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SH8M13GZETB Produkteigenschaften
Artikelnummer :
SH8M13GZETB
Hersteller :
Rohm Semiconductor
Beschreibung :
MIDDLE POWER MOSFET SERIES DUAL
Serie :
-
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N and P-Channel
FET-Funktion :
-
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
30V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
6A, 7A
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
29 mOhm @ 7A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.5V @ 1mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
18nC @ 5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
1200pF @ 10V
Leistung max :
2W
Betriebstemperatur :
150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Paket / fall :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Supplier Device Package :
8-SOP
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