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- Artikelnummer:
- IPB47N10S33ATMA1
- Hersteller:
- Infineon Technologies
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N-CH 100V 47A TO263-3.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
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- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf Infineon Technologies IPB47N10S33ATMA1 elektronische Komponenten. IPB47N10S33ATMA1 kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu IPB47N10S33ATMA1 haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
IPB47N10S33ATMA1 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
IPB47N10S33ATMA1
Hersteller :
Infineon Technologies
Beschreibung :
MOSFET N-CH 100V 47A TO263-3
Serie :
SIPMOS®
Teilestatus :
Not For New Designs
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
100V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
47A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
33 mOhm @ 33A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 2mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
105nC @ 10V
Vgs (Max) :
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
2500pF @ 25V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
175W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
PG-TO263-3-2
Paket / fall :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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