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- Artikelnummer:
- UPA2766T1A-E2-AY
- Hersteller:
- Renesas Electronics America
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N-CH 30V 130A 8HVSON.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
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- Versand weg:
- Familienkategorien:
- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Dioden - Brückengleichrichter, Transistoren - FETs, MOSFETs - HF, Transistoren - Bipolar (BJT) - RF, Transistoren - Bipolar (BJT) - Single, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, Thyristoren - SCRs - Module, Thyristoren - Thyristoren and Dioden - Zener - Arrays ...
- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf Renesas Electronics America UPA2766T1A-E2-AY elektronische Komponenten. UPA2766T1A-E2-AY kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu UPA2766T1A-E2-AY haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
UPA2766T1A-E2-AY Produkteigenschaften
Artikelnummer :
UPA2766T1A-E2-AY
Hersteller :
Renesas Electronics America
Beschreibung :
MOSFET N-CH 30V 130A 8HVSON
Serie :
-
Teilestatus :
Obsolete
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
30V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
130A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
1.82 mOhm @ 39A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
-
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
257nC @ 10V
Vgs (Max) :
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
10850pF @ 10V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
1.5W (Ta), 83W (Tc)
Betriebstemperatur :
150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
8-HVSON (5.4x5.15)
Paket / fall :
8-PowerVDFN
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