Diodes Incorporated - ZXM61P02FTA

KEY Part #: K6418870

ZXM61P02FTA Preise (USD) [618813Stück Lager]

  • 1 pcs$0.05977
  • 3,000 pcs$0.05384

Artikelnummer:
ZXM61P02FTA
Hersteller:
Diodes Incorporated
Detaillierte Beschreibung:
MOSFET P-CH 20V 0.9A SOT23-3.
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - Bipolar (BJT) - RF, Transistoren - IGBTs - Single, Transistoren - FETs, MOSFETs - HF, Dioden - Brückengleichrichter, Thyristoren - DIACs, SIDACs, Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt and Transistoren - IGBTs - Module ...
Wettbewerbsvorteil:
Wir sind spezialisiert auf Diodes Incorporated ZXM61P02FTA elektronische Komponenten. ZXM61P02FTA kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu ZXM61P02FTA haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

ZXM61P02FTA Produkteigenschaften

Artikelnummer : ZXM61P02FTA
Hersteller : Diodes Incorporated
Beschreibung : MOSFET P-CH 20V 0.9A SOT23-3
Serie : -
Teilestatus : Active
FET-Typ : P-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 20V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 900mA (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 2.7V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 600 mOhm @ 610mA, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1.5V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 3.5nC @ 4.5V
Vgs (Max) : ±12V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 150pF @ 15V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 625mW (Ta)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Supplier Device Package : SOT-23-3
Paket / fall : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3