TK12E60W,S1VX Preise (USD) [37786Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- TK12E60W,S1VX
- Hersteller:
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N CH 600V 11.5A TO-220.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
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- Familienkategorien:
- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - Programmierbare Einheit, Thyristoren - SCRs - Module, Thyristoren - DIACs, SIDACs, Transistoren - IGBTs - Module, Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt, Transistoren - Bipolar (BJT) - Single and Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann ...
- Wettbewerbsvorteil:
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TK12E60W,S1VX Produkteigenschaften
Artikelnummer :
TK12E60W,S1VX
Hersteller :
Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung :
MOSFET N CH 600V 11.5A TO-220
Serie :
DTMOSIV
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
600V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
11.5A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
300 mOhm @ 5.8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3.7V @ 600µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
25nC @ 10V
Vgs (Max) :
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
890pF @ 300V
FET-Funktion :
Super Junction
Verlustleistung (max.) :
110W (Tc)
Betriebstemperatur :
150°C (TJ)
Befestigungsart :
Through Hole
Supplier Device Package :
TO-220
Paket / fall :
TO-220-3
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