IPP60R330P6XKSA1 Preise (USD) [2734Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- IPP60R330P6XKSA1
- Hersteller:
- Infineon Technologies
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N-CH 600V 12A TO220-3.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
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- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - Bipolar (BJT) - Single, Thyristoren - SCRs - Module, Dioden - Zener - Arrays, Transistoren - IGBTs - Single, Thyristoren - DIACs, SIDACs, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt, Transistoren - IGBTs - Arrays and Dioden - variable Kapazität (Varicaps, Varactors) ...
- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf Infineon Technologies IPP60R330P6XKSA1 elektronische Komponenten. IPP60R330P6XKSA1 kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu IPP60R330P6XKSA1 haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
IPP60R330P6XKSA1 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
IPP60R330P6XKSA1
Hersteller :
Infineon Technologies
Beschreibung :
MOSFET N-CH 600V 12A TO220-3
Serie :
CoolMOS™ P6
Teilestatus :
Obsolete
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
600V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
12A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
330 mOhm @ 4.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4.5V @ 370µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
22nC @ 10V
Vgs (Max) :
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
1010pF @ 100V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
93W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Through Hole
Supplier Device Package :
PG-TO220-3
Paket / fall :
TO-220-3
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