Artikelnummer :
DMN10H120SFG-7
Hersteller :
Diodes Incorporated
Beschreibung :
MOSFET N-CH 100V 3.8A POWERDI
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
100V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
3.8A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
110 mOhm @ 3.3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
10.6nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
549pF @ 50V
Verlustleistung (max.) :
1W (Ta)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
PowerDI3333-8
Paket / fall :
8-PowerVDFN