DMTH10H010SCT Preise (USD) [68703Stück Lager]
- 1 pcs$0.56912
- Artikelnummer:
- DMTH10H010SCT
- Hersteller:
- Diodes Incorporated
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET BVDSS 61V-100V TO220AB T.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
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- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - Programmierbare Einheit, Transistoren - FETs, MOSFETs - HF, Thyristoren - SCRs - Module, Transistoren - IGBTs - Single, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, Dioden - Zener - Arrays, Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln and Transistoren - JFETs ...
- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf Diodes Incorporated DMTH10H010SCT elektronische Komponenten. DMTH10H010SCT kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu DMTH10H010SCT haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
DMTH10H010SCT Produkteigenschaften
Artikelnummer :
DMTH10H010SCT
Hersteller :
Diodes Incorporated
Beschreibung :
MOSFET BVDSS 61V-100V TO220AB T
Serie :
-
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
100V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
100A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
9.5 mOhm @ 13A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
56.4nC @ 10V
Vgs (Max) :
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
4468pF @ 50V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
2.5W (Ta), 187W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart :
Through Hole
Supplier Device Package :
TO-220AB
Paket / fall :
TO-220-3
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