DMN1019USN-7 Preise (USD) [634042Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- DMN1019USN-7
- Hersteller:
- Diodes Incorporated
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N-CH 12V 9.3A SC59.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
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- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf Diodes Incorporated DMN1019USN-7 elektronische Komponenten. DMN1019USN-7 kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu DMN1019USN-7 haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
DMN1019USN-7 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
DMN1019USN-7
Hersteller :
Diodes Incorporated
Beschreibung :
MOSFET N-CH 12V 9.3A SC59
Serie :
-
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
12V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
9.3A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
1.2V, 2.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
10 mOhm @ 9.7A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
800mV @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
50.6nC @ 8V
Vgs (Max) :
±8V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
2426pF @ 10V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
680mW (Ta)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
SC-59
Paket / fall :
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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