Vishay Siliconix - SQS401ENW-T1_GE3

KEY Part #: K6420544

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Artikelnummer:
SQS401ENW-T1_GE3
Hersteller:
Vishay Siliconix
Detaillierte Beschreibung:
MOSFET P-CH 40V 16A POWERPAK1212.
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SQS401ENW-T1_GE3 Produkteigenschaften

Artikelnummer : SQS401ENW-T1_GE3
Hersteller : Vishay Siliconix
Beschreibung : MOSFET P-CH 40V 16A POWERPAK1212
Serie : Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Teilestatus : Active
FET-Typ : P-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 40V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 16A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 29 mOhm @ 12A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 21.2nC @ 4.5V
Vgs (Max) : ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 1875pF @ 20V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 62.5W (Tc)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Supplier Device Package : PowerPAK® 1212-8
Paket / fall : PowerPAK® 1212-8

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