Infineon Technologies - IPC045N10L3X1SA1

KEY Part #: K6420716

IPC045N10L3X1SA1 Preise (USD) [237641Stück Lager]

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Artikelnummer:
IPC045N10L3X1SA1
Hersteller:
Infineon Technologies
Detaillierte Beschreibung:
MOSFET N-CH 100V 1A SAWN ON FOIL.
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IPC045N10L3X1SA1 Produkteigenschaften

Artikelnummer : IPC045N10L3X1SA1
Hersteller : Infineon Technologies
Beschreibung : MOSFET N-CH 100V 1A SAWN ON FOIL
Serie : OptiMOS™
Teilestatus : Active
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 100V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 1A (Tj)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 100 mOhm @ 2A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.1V @ 33µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : -
Vgs (Max) : -
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : -
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : -
Betriebstemperatur : -
Befestigungsart : Surface Mount
Supplier Device Package : Sawn on foil
Paket / fall : Die

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