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Microchip Technology - TN5335K1-G

KEY Part #: K6394074

TN5335K1-G Preise (USD) [162137Stück Lager]

  • 1 pcs$0.23372
  • 3,000 pcs$0.23255
Artikelnummer:
TN5335K1-G
Hersteller:
Microchip Technology
Detaillierte Beschreibung:
MOSFET N-CH 350V 0.11A SOT23-3.
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays, Dioden - Gleichrichter - Single, Transistoren - IGBTs - Module, Dioden - Brückengleichrichter, Thyristoren - DIACs, SIDACs, Transistoren - Bipolar (BJT) - RF, Transistoren - FETs, MOSFETs - HF and Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt ...
Wettbewerbsvorteil:
Wir sind spezialisiert auf Microchip Technology TN5335K1-G elektronische Komponenten. TN5335K1-G kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu TN5335K1-G haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

TN5335K1-G Produkteigenschaften

Artikelnummer : TN5335K1-G
Hersteller : Microchip Technology
Beschreibung : MOSFET N-CH 350V 0.11A SOT23-3
Serie : -
Teilestatus : Active
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 350V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 110mA (Tj)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 3V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 15 Ohm @ 200mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2V @ 1mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : -
Vgs (Max) : ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 110pF @ 25V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 360mW (Ta)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Supplier Device Package : SOT-23 (TO-236AB)
Paket / fall : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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