Artikelnummer :
FDP060AN08A0
Hersteller :
ON Semiconductor
Beschreibung :
MOSFET N-CH 75V 80A TO-220AB
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
75V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
16A (Ta), 80A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
6 mOhm @ 80A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
95nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
5150pF @ 25V
Verlustleistung (max.) :
255W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart :
Through Hole
Supplier Device Package :
TO-220-3