SQD10N30-330H_GE3 Preise (USD) [126516Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- SQD10N30-330H_GE3
- Hersteller:
- Vishay Siliconix
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N-CH 300V 10A TO252AA.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
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- Versand weg:
- Familienkategorien:
- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays, Leistungstreibermodule, Thyristoren - DIACs, SIDACs, Dioden - Gleichrichter - Single, Transistoren - IGBTs - Arrays, Dioden - Gleichrichter - Arrays, Transistoren - IGBTs - Module and Transistoren - Programmierbare Einheit ...
- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf Vishay Siliconix SQD10N30-330H_GE3 elektronische Komponenten. SQD10N30-330H_GE3 kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu SQD10N30-330H_GE3 haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
SQD10N30-330H_GE3 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
SQD10N30-330H_GE3
Hersteller :
Vishay Siliconix
Beschreibung :
MOSFET N-CH 300V 10A TO252AA
Serie :
Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
300V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
10A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
330 mOhm @ 14A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4.4V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
47nC @ 10V
Vgs (Max) :
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
2190pF @ 25V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
107W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
TO-252AA
Paket / fall :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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