BUK7Y18-55B,115 Preise (USD) [306095Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- BUK7Y18-55B,115
- Hersteller:
- Nexperia USA Inc.
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N-CH 55V 47.4A LFPAK.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
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- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann, Dioden - Brückengleichrichter, Thyristoren - Thyristoren, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt, Transistoren - Bipolar (BJT) - RF, Thyristoren - DIACs, SIDACs and Dioden - Gleichrichter - Single ...
- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf Nexperia USA Inc. BUK7Y18-55B,115 elektronische Komponenten. BUK7Y18-55B,115 kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu BUK7Y18-55B,115 haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
BUK7Y18-55B,115 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
BUK7Y18-55B,115
Hersteller :
Nexperia USA Inc.
Beschreibung :
MOSFET N-CH 55V 47.4A LFPAK
Serie :
Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
55V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
47.4A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
18 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 1mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
21.9nC @ 10V
Vgs (Max) :
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
1263pF @ 25V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
85W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
LFPAK56, Power-SO8
Paket / fall :
SC-100, SOT-669
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