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- Artikelnummer:
- ZXMN2F34MATA
- Hersteller:
- Diodes Incorporated
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N-CH 20V 4A DFN-2X2.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
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- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Dioden - Zener - Single, Transistoren - FETs, MOSFETs - HF, Transistoren - IGBTs - Module, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, Transistoren - Bipolar (BJT) - Single, Dioden - Gleichrichter - Arrays, Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln and Transistoren - Bipolar (BJT) - RF ...
- Wettbewerbsvorteil:
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ZXMN2F34MATA Produkteigenschaften
Artikelnummer :
ZXMN2F34MATA
Hersteller :
Diodes Incorporated
Beschreibung :
MOSFET N-CH 20V 4A DFN-2X2
Serie :
-
Teilestatus :
Obsolete
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
20V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
4A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
60 mOhm @ 2.5A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1.5V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
2.8nC @ 4.5V
Vgs (Max) :
±12V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
277pF @ 10V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
1.35W (Ta)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
DFN322
Paket / fall :
3-VDFN
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