Artikelnummer :
IPN60R360P7SATMA1
Hersteller :
Infineon Technologies
Beschreibung :
MOSFET N-CHANNEL 600V 9A SOT223
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
600V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
9A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
360 mOhm @ 2.7A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 140µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
13nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
555pF @ 400V
Verlustleistung (max.) :
7W (Tc)
Betriebstemperatur :
-40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
PG-SOT223