SI8819EDB-T2-E1 Preise (USD) [724691Stück Lager]
- 1 pcs$0.05104
- Artikelnummer:
- SI8819EDB-T2-E1
- Hersteller:
- Vishay Siliconix
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET P-CH 12V 2.9A 4-MICROFOOT.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
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- Familienkategorien:
- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Thyristoren - TRIACs, Transistoren - FETs, MOSFETs - HF, Dioden - Zener - Arrays, Dioden - Gleichrichter - Arrays, Transistoren - spezieller Zweck, Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann, Transistoren - Programmierbare Einheit and Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays ...
- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf Vishay Siliconix SI8819EDB-T2-E1 elektronische Komponenten. SI8819EDB-T2-E1 kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu SI8819EDB-T2-E1 haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
SI8819EDB-T2-E1 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
SI8819EDB-T2-E1
Hersteller :
Vishay Siliconix
Beschreibung :
MOSFET P-CH 12V 2.9A 4-MICROFOOT
Serie :
-
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
P-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
12V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
2.9A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
1.5V, 3.7V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
80 mOhm @ 1.5A, 3.7V
Vgs (th) (Max) @ Id :
900mV @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
17nC @ 8V
Vgs (Max) :
±8V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
650pF @ 6V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
900mW (Ta)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
4-MICRO FOOT® (0.8x0.8)
Paket / fall :
4-XFBGA
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