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Microsemi Corporation - APTM10DHM05G

KEY Part #: K6522682

APTM10DHM05G Preise (USD) [839Stück Lager]

  • 1 pcs$55.63314
  • 100 pcs$55.35636
Artikelnummer:
APTM10DHM05G
Hersteller:
Microsemi Corporation
Detaillierte Beschreibung:
MOSFET 2N-CH 100V 278A SP6.
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - IGBTs - Module, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, Transistoren - IGBTs - Single, Leistungstreibermodule, Transistoren - FETs, MOSFETs - HF, Dioden - Gleichrichter - Arrays and Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann ...
Wettbewerbsvorteil:
Wir sind spezialisiert auf Microsemi Corporation APTM10DHM05G elektronische Komponenten. APTM10DHM05G kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu APTM10DHM05G haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

APTM10DHM05G Produkteigenschaften

Artikelnummer : APTM10DHM05G
Hersteller : Microsemi Corporation
Beschreibung : MOSFET 2N-CH 100V 278A SP6
Serie : -
Teilestatus : Active
FET-Typ : 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
FET-Funktion : Standard
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 100V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 278A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 5 mOhm @ 125A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 5mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 700nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 20000pF @ 25V
Leistung max : 780W
Betriebstemperatur : -40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Chassis Mount
Paket / fall : SP6
Supplier Device Package : SP6

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