BUK625R2-30C,118 Preise (USD) [2039Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- BUK625R2-30C,118
- Hersteller:
- Nexperia USA Inc.
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N-CH 30V 90A DPAK.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
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- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - FETs, MOSFETs - HF, Dioden - Brückengleichrichter, Transistoren - IGBTs - Single, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, Transistoren - JFETs, Transistoren - Bipolar (BJT) - Single, Dioden - Gleichrichter - Arrays and Thyristoren - Thyristoren ...
- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf Nexperia USA Inc. BUK625R2-30C,118 elektronische Komponenten. BUK625R2-30C,118 kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu BUK625R2-30C,118 haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
BUK625R2-30C,118 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
BUK625R2-30C,118
Hersteller :
Nexperia USA Inc.
Beschreibung :
MOSFET N-CH 30V 90A DPAK
Serie :
Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™
Teilestatus :
Obsolete
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
30V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
90A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
5.2 mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.8V @ 1mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
54.8nC @ 10V
Vgs (Max) :
±16V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
3470pF @ 25V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
128W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
DPAK
Paket / fall :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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