DMN62D1SFB-7B Preise (USD) [30530Stück Lager]
- 10,000 pcs$0.03628
- Artikelnummer:
- DMN62D1SFB-7B
- Hersteller:
- Diodes Incorporated
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N-CH 60V 410MA 3DFN.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
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- Versand weg:
- Familienkategorien:
- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt, Thyristoren - SCRs - Module, Transistoren - IGBTs - Arrays, Transistoren - Bipolar (BJT) - RF, Dioden - Zener - Single, Dioden - Gleichrichter - Arrays and Transistoren - Programmierbare Einheit ...
- Wettbewerbsvorteil:
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DMN62D1SFB-7B Produkteigenschaften
Artikelnummer :
DMN62D1SFB-7B
Hersteller :
Diodes Incorporated
Beschreibung :
MOSFET N-CH 60V 410MA 3DFN
Serie :
-
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
60V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
410mA (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
1.4 Ohm @ 40mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.3V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
2.8nC @ 10V
Vgs (Max) :
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
80pF @ 40V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
470mW (Ta)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
3-DFN1006 (1.0x0.6)
Paket / fall :
3-UFDFN
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