RF4E075ATTCR Preise (USD) [422218Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- RF4E075ATTCR
- Hersteller:
- Rohm Semiconductor
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET P-CH 30V 7.5A 8DFN.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
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- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - Bipolar (BJT) - RF, Transistoren - Bipolar (BJT) - Single, Dioden - Gleichrichter - Single, Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln, Thyristoren - DIACs, SIDACs, Thyristoren - Thyristoren, Transistoren - IGBTs - Module and Dioden - variable Kapazität (Varicaps, Varactors) ...
- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf Rohm Semiconductor RF4E075ATTCR elektronische Komponenten. RF4E075ATTCR kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu RF4E075ATTCR haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
RF4E075ATTCR Produkteigenschaften
Artikelnummer :
RF4E075ATTCR
Hersteller :
Rohm Semiconductor
Beschreibung :
MOSFET P-CH 30V 7.5A 8DFN
Serie :
-
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
P-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
30V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
7.5A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
21.7 mOhm @ 7.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.5V @ 1mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
22nC @ 10V
Vgs (Max) :
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
1000pF @ 15V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
2W (Ta)
Betriebstemperatur :
150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
HUML2020L8
Paket / fall :
8-PowerUDFN
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