Vishay Siliconix - SI4668DY-T1-E3

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Artikelnummer:
SI4668DY-T1-E3
Hersteller:
Vishay Siliconix
Detaillierte Beschreibung:
MOSFET N-CH 25V 16.2A 8-SOIC.
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
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Wettbewerbsvorteil:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SI4668DY-T1-E3 Produkteigenschaften

Artikelnummer : SI4668DY-T1-E3
Hersteller : Vishay Siliconix
Beschreibung : MOSFET N-CH 25V 16.2A 8-SOIC
Serie : TrenchFET®
Teilestatus : Active
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 25V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 16.2A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 10.5 mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.6V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 42nC @ 10V
Vgs (Max) : ±16V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 1654pF @ 15V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 2.5W (Ta), 5W (Tc)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Supplier Device Package : 8-SO
Paket / fall : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)