Artikelnummer :
SI4668DY-T1-E3
Hersteller :
Vishay Siliconix
Beschreibung :
MOSFET N-CH 25V 16.2A 8-SOIC
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
25V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
16.2A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
10.5 mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.6V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
42nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
1654pF @ 15V
Verlustleistung (max.) :
2.5W (Ta), 5W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
8-SO
Paket / fall :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)