ZXMN10A08DN8TA Preise (USD) [178163Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- ZXMN10A08DN8TA
- Hersteller:
- Diodes Incorporated
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET 2N-CH 100V 1.6A 8-SOIC.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
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- Versand weg:
- Familienkategorien:
- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - IGBTs - Single, Dioden - Zener - Arrays, Transistoren - Programmierbare Einheit, Dioden - RF, Transistoren - Bipolar (BJT) - RF, Transistoren - Bipolar (BJT) - Single, Thyristoren - DIACs, SIDACs and Dioden - variable Kapazität (Varicaps, Varactors) ...
- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf Diodes Incorporated ZXMN10A08DN8TA elektronische Komponenten. ZXMN10A08DN8TA kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu ZXMN10A08DN8TA haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
ZXMN10A08DN8TA Produkteigenschaften
Artikelnummer :
ZXMN10A08DN8TA
Hersteller :
Diodes Incorporated
Beschreibung :
MOSFET 2N-CH 100V 1.6A 8-SOIC
Serie :
-
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion :
Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
100V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
1.6A
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
250 mOhm @ 3.2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2V @ 250µA (Min)
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
7.7nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
405pF @ 50V
Leistung max :
1.25W
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Paket / fall :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Supplier Device Package :
8-SOP
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