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Microsemi Corporation - APTM100H18FG

KEY Part #: K6522677

APTM100H18FG Preise (USD) [437Stück Lager]

  • 1 pcs$106.50367
  • 100 pcs$105.97380
Artikelnummer:
APTM100H18FG
Hersteller:
Microsemi Corporation
Detaillierte Beschreibung:
MOSFET 4N-CH 1000V 43A SP6.
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Dioden - Zener - Arrays, Thyristoren - SCRs - Module, Transistoren - JFETs, Dioden - Brückengleichrichter, Transistoren - Bipolar (BJT) - Single, Transistoren - IGBTs - Arrays, Dioden - variable Kapazität (Varicaps, Varactors) and Leistungstreibermodule ...
Wettbewerbsvorteil:
Wir sind spezialisiert auf Microsemi Corporation APTM100H18FG elektronische Komponenten. APTM100H18FG kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu APTM100H18FG haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

APTM100H18FG Produkteigenschaften

Artikelnummer : APTM100H18FG
Hersteller : Microsemi Corporation
Beschreibung : MOSFET 4N-CH 1000V 43A SP6
Serie : -
Teilestatus : Active
FET-Typ : 4 N-Channel (H-Bridge)
FET-Funktion : Standard
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 1000V (1kV)
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 43A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 210 mOhm @ 21.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 5mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 372nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 10400pF @ 25V
Leistung max : 780W
Betriebstemperatur : -40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Chassis Mount
Paket / fall : SP6
Supplier Device Package : SP6

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